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SGTP5T60SD1D IGBT 5A 600V to252晶体管参数-深圳美女操逼APP电子
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SGTP5T60SD1D IGBT 5A 600V to252晶体管参数

所属分类：IGBT
品牌：士兰微
型号：SGTP5T60SD1D
封装：TO-252
功率：600V
电流：5A
订购热线：0755-23087599
　　SGTP5T60SD1D/F/S绝缘栅双极型品体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。
　　
　　SGTP5T60SD1D IGBT 5A 600V to252特征　　
　　■ 低导通损耗　　
　　■ 快开关速度　　
　　■ 高输入阻抗　　
　　■ 5A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A
　　
　　SGTP5T60SD1D/FS IGBT 5A 600V to252极限参数（除非特殊说明，Tc=25℃）
参数 符号 参数范围 单位
SGTP5T60SD1D SGTP5T60SD1F SGTP5T60SD1S
集电极射极电压 VCE 600 V
栅极射极电压 VGE ±30 V
集电极电流 Tc=25℃ Ic 10 A
Tc=100℃ 5
集电极脉冲电流 IcM 15 A
美女操逼软件下载电流 IF 10 A
短路维持时间 TSC 10 us
(VGE=15V,Vcc=300V)
耗散功率(Tc=25℃) PD 82 35 83 W
工作结温范围 TJ -55~+150 ℃
贮存温度范围 Tstg -55~+150 ℃
　　
　　SGTP5T60SD1D IGBT 5A 600V to252晶体管，5A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A，采用TO252封装，可兼容替换AOD5B65M1，典型应用于电机逆变 IGBT。
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